GDS850輝光放電光譜儀
輝光放電光譜法采用低壓，冷激發(fā)光源，材料被氬離子流均勻地從樣品表面剝離濺射。 被濺射出的材料原子在遠(yuǎn)離樣品表面低氬的等離子體內(nèi)被激發(fā)。 GDS850的配備提高了實(shí)驗(yàn)室的質(zhì)量控制和研發(fā)能力，它提供了非常準(zhǔn)確的基體分析以及成分深度剖析涂層分析和表面處理的結(jié)果。 儀器檢測(cè)光譜范圍從120到800納米，可配置58個(gè)通道。
特征
均勻的濺射
其他方法可能只是激發(fā)樣品表面，所采集的數(shù)據(jù)并不一定具有代表性。而輝光放電，樣品材料均勻地從表面激發(fā)濺射， 冷光源的激發(fā)為一些困難樣品的檢測(cè)提供了很好的技術(shù)。